SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse

• Unité de recherche: INNOSUISSE
• Numéro de projet: 51074.1 IP-ENG
• Titre du projet anglais: SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse

Mots-clé (Anglais)

Engineering, Mechanical engineering

Résumé des résultats (Abstract) (Anglais)

When cutting wafers of silicon carbide for power semiconductors and silicon for integrated curcuits using diamond wire sawing, excessive wear on the tool and deformation of the wafer inhibit process optimisation. This project aims at overcoming these limitions.