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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
51074.1 IP-ENG
Projekttitel
SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse
Projekttitel Englisch
SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse

Beteiligte
Bundesstelle/ Verwaltungseinheit Innosuisse
Schweizerische Agentur
für Innovationsförderung
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Zentrale)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Kontaktperson

 Brechbühler Jonas
PW WaferTec GmbH
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE213377099

Wissenschaftliche Leitung
ETHZ - Eidgenössische Technische Ho
chschule Zürich

Wissenschaftliche Leitung
inspire AG für mechatronische Produ
ktionssysteme und Fertigungstechnik
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE101770265

Wirtschaftspartner
PW WaferTec GmbH
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE213377099