SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse

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Projektnummer

51074.1 IP-ENG

Projekttitel

SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse

Projekttitel Englisch

SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse

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Schlüsselwörter (Englisch)	Engineering, Mechanical engineering
Abstract (Englisch)	When cutting wafers of silicon carbide for power semiconductors and silicon for integrated curcuits using diamond wire sawing, excessive wear on the tool and deformation of the wafer inhibit process optimisation. This project aims at overcoming these limitions.