Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm

• Unité de recherche: INNOSUISSE
• Numéro de projet: 25719.2 PFNM-NM
• Titre du projet anglais: Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm

Description succincte (Allemand)

Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm

Description succincte (Anglais)

Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm

Résumé des résultats (Abstract) (Allemand)

Entwickelt wird ein Conditioning Tower, der in modernste 300 mm Halbleiterprozessanlagen internationaler Equipment-Hersteller für die Anwendung in Technologien < 10 nm integriert werden soll. Ziel sind (i) die Elimination ausbeutemindernder Kontamination (Partikel, Moleküle) und (ii) die gezielte Konditionierung der Waferoberfläche (bzgl. Reinheit, Gasbelegung, Oberflächenzustand). Der Nachweis niedrigster Partikel-/Kontaminationswerte und funktionalisierter Oberflächen erfolgt an einem eigens aufzubauenden Reinraum-Teststand

Résumé des résultats (Abstract) (Anglais)