Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm

• Research unit: INNOSUISSE
• Project number: 25719.2 PFNM-NM

Short description (German)

Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm

Short description (English)

Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm

Abstract (German)

Entwickelt wird ein Conditioning Tower, der in modernste 300 mm Halbleiterprozessanlagen internationaler Equipment-Hersteller für die Anwendung in Technologien < 10 nm integriert werden soll. Ziel sind (i) die Elimination ausbeutemindernder Kontamination (Partikel, Moleküle) und (ii) die gezielte Konditionierung der Waferoberfläche (bzgl. Reinheit, Gasbelegung, Oberflächenzustand). Der Nachweis niedrigster Partikel-/Kontaminationswerte und funktionalisierter Oberflächen erfolgt an einem eigens aufzubauenden Reinraum-Teststand

Abstract (English)