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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
25719.2 PFNM-NM
Projekttitel
Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm
Projekttitel Englisch
Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm

Texte zu diesem Projekt

 DeutschFranzösischItalienischEnglisch
Kurzbeschreibung
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Erfasste Texte


KategorieText
Kurzbeschreibung
(Deutsch)
Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm
Kurzbeschreibung
(Englisch)
Extrem partikelarmer 300 mm Conditioning Tower für Halbleiterprozessanlagen der Technologieknoten < 10 nm
Abstract
(Deutsch)
Entwickelt wird ein Conditioning Tower, der in modernste 300 mm Halbleiterprozessanlagen internationaler Equipment-Hersteller für die Anwendung in Technologien < 10 nm integriert werden soll. Ziel sind (i) die Elimination ausbeutemindernder Kontamination (Partikel, Moleküle) und (ii) die gezielte Konditionierung der Waferoberfläche (bzgl. Reinheit, Gasbelegung, Oberflächenzustand). Der Nachweis niedrigster Partikel-/Kontaminationswerte und funktionalisierter Oberflächen erfolgt an einem eigens aufzubauenden Reinraum-Teststand
Abstract
(Englisch)