Hochbeschleunigendes integriertes magnetisches Lagerungs- und Antriebssystem für Halbleiter-Wafer

• Forschungsstelle: INNOSUISSE
• Projektnummer: 9779.1;3 PFNM-NM
• Projekttitel Englisch: High-Acceleration Integrated Magnetic Bearing and Drive System for Semiconductor Wafers

Kurzbeschreibung (Deutsch)

Hochbeschleunigendes integriertes magnetisches Lagerungs- und Antriebssystem für Halbleiter-Wafer

Kurzbeschreibung (Englisch)

High-Acceleration Integrated Magnetic Bearing and Drive System for Semiconductor Wafers

Abstract (Deutsch)

Zahlreiche Prozesse bei der Herstellung von Integrierten Halbleiterschaltungen erfordern eine Rotation des Wafers um seine eigene Achse, um eine homogenere Einwirkung des Prozesses auf den Wafer zu erreichen. In einem ersten Projekt (KTI P-Nr. 8068.2 NMPP-NM) wurde ein neuartiges System zur berührungsfreien magnetischen Lagerung und Rotation eines 300 mm Wafers durch die Wand einer Prozesskammer hindurch entwickelt. Dieses Konzept ermöglicht einzigartige Prozessrahmenbedingungen, hat jedoch noch Verbesserungsbedarf in Bezug auf die für viele Anwendungen wichtige Beschleunigungskapazität. In diesem Folgeprojekt soll daher basierend auf den bisherigen Forschungen ein hochbeschleunigendes, integriertes Lager- und Antriebssystem für Halbleiter-Wafer entwickelt werden.