Ferroelectric capacitor integration in standard CMOS process for low-voltage low-power non volatile memories

Forschungsstelle

INNOSUISSE

Projektnummer

3989.2;5 KTS

Projekttitel

Ferroelectric capacitor integration in standard CMOS process for low-voltage low-power non volatile memories

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Kurzbeschreibung (Französisch)	Ferroelectric capacitor integration in standard CMOS process for low-voltage low-power non volatile memories