Ferroelectric capacitor integration in standard CMOS process for low-voltage low-power non volatile memories

Forschungsstelle

INNOSUISSE

Projektnummer

3989.2;5 KTS

Projekttitel

Ferroelectric capacitor integration in standard CMOS process for low-voltage low-power non volatile memories

Beteiligte
Bundesstelle/ Verwaltungseinheit	Innosuisse Schweizerische Agentur für Innovationsförderung Einsteinstrasse 2 CH-3003 Bern +41 58 461 61 61 (Zentrale) info@innosuisse.ch www.innosuisse.ch/

Kontaktperson

Prof Dr
Pierre Fazan
EPFL
LEG - EPFL
CH-1015 Lausanne
021 693 4604

Beteiligte