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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
3989.2;5 KTS
Projekttitel
Ferroelectric capacitor integration in standard CMOS process for low-voltage low-power non volatile memories
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.10.1999
Endedatum 26.01.2004
 
Gesamtkosten bewilligt 623'000.00  CHF
Bereich 5 KTI
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Industrielle Produktivität und Technologie
 
Fachbereiche
100 % T170 Elektronik
Letzte Änderung Projekt
27.11.2014