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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
110.420 INT-ENG
Projekttitel
Innovations in SiC Power MOSFET Gate technology through the use of ALD oxides
Projekttitel Englisch
Innovations in SiC Power MOSFET Gate technology through the use of ALD oxides
Projektstatus In Bearbeitung / verpflichtet
 
Startdatum 01.04.2024
Endedatum 31.03.2027
 
Gesamtkosten bewilligt 163'496.00  CHF
Bereich 70 Engineering
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Industrielle Produktivität und Technologie
 
Fachbereiche
100 % T140 Energieforschung
Letzte Änderung Projekt