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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
110.420 INT-ENG
Projekttitel
Innovations in SiC Power MOSFET Gate technology through the use of ALD oxides
Projekttitel Englisch
Innovations in SiC Power MOSFET Gate technology through the use of ALD oxides

Beteiligte
Bundesstelle/ Verwaltungseinheit Innosuisse
Schweizerische Agentur
für Innovationsförderung
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Zentrale)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Kontaktperson

 Bolat Sami
Hitachi Energy AG
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE339599331

Wirtschaftspartner
Hitachi Energy AG
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE339599331