IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor edge passivation.

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

18421.1 PFIW-IW

Titre du projet

IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor edge passivation.

Titre du projet anglais

IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor|edge passivation.

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.03.2016
Date de fin	01.07.2017

Coûts totaux approuvés	499'411.00 CHF
Domaine	23 Förderbereich Engineering
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % T130 Technologie de la production

Dernière modification du projet