ServicenavigationHauptnavigationTrailKarteikarten

Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
18421.1 PFIW-IW
Projekttitel
IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor|edge passivation.
Projekttitel Englisch
IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor|edge passivation.

Beteiligte
Bundesstelle/ Verwaltungseinheit Innosuisse
Schweizerische Agentur
für Innovationsförderung
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Zentrale)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Kontaktperson

 Doktor
Sylvain Nicolay
CSEM Centre Suisse d'Electronique
et de Microtechnique
Rue Jaquet-Droz 1
CH-2002 Neuchâtel
sylvain.nicolay@csem.ch

Wirtschaftspartner

 Doktor
Sven Klaka
ABB Switzerland Ltd
Semiconductors
CHE-101.538.426
Fabrikstrasse 3
CH-5600 Lenzburg
+41 58 586 14 92
sven.klaka@ch.abb.com