IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor edge passivation.

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

18421.1 PFIW-IW

Titre du projet

IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor edge passivation.

Titre du projet anglais

IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor|edge passivation.

Participants
Office fédéral/ Unité administrative	Innosuisse Agence suisse pour l'encouragement de l'innovation Einsteinstrasse 2 CH-3003 Bern +41 58 461 61 61 (Central) info@innosuisse.ch www.innosuisse.ch/

Personne à contacter

Doktor
Sylvain Nicolay
CSEM Centre Suisse d'Electronique
et de Microtechnique
Rue Jaquet-Droz 1
CH-2002 Neuchâtel
sylvain.nicolay@csem.ch

Partenaire commercial

Doktor
Sven Klaka
ABB Switzerland Ltd
Semiconductors
CHE-101.538.426
Fabrikstrasse 3
CH-5600 Lenzburg
+41 58 586 14 92
sven.klaka@ch.abb.com

Participants