IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor edge passivation.

Forschungsstelle

INNOSUISSE

Projektnummer

18421.1 PFIW-IW

Projekttitel

IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor|edge passivation.

Projekttitel Englisch

IDEAL Improved DLC Electrically Active Layer for high power bipolar silicon semiconductor|edge passivation.

Projektstatus	Abgeschlossen

Startdatum	01.03.2016
Endedatum	01.07.2017

Gesamtkosten bewilligt	499'411.00 CHF
Bereich	23 Förderbereich Engineering
Proj. Kategorie	Projekt
Forschungsart	Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation	Industrielle Produktivität und Technologie

Fachbereiche	100 % T130 Produktionstechnik

Letzte Änderung Projekt