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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
11548.2;7 PFIW-IW
Projekttitel
Development of industrial gas-metal plasma sources for the deposition of nanostructured GaN semiconductor layers for lighting applications
Projekttitel Englisch
Development of industrial gas-metal plasma sources for the deposition of nanostructured GaN semiconductor layers for lighting applications
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.10.2010
Endedatum 10.11.2015
 
Gesamtkosten bewilligt 608'760.00  CHF
Bereich 23 Förderbereich Engineering
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Nicht aufteilbare / nicht zuteilbare Forschung
 
Fachbereiche
100 % T130 Produktionstechnik

Letzte Änderung Projekt
27.11.2014