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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
11548.2;7 PFIW-IW
Projekttitel
Development of industrial gas-metal plasma sources for the deposition of nanostructured GaN semiconductor layers for lighting applications
Projekttitel Englisch
Development of industrial gas-metal plasma sources for the deposition of nanostructured GaN semiconductor layers for lighting applications

Beteiligte

Bundesstelle/ Verwaltungseinheit Innosuisse
Schweizerische Agentur
für Innovationsförderung
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Zentrale)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Kontaktperson

Christian Schlatter
EPFL
Station 13
CH-1015 Lausanne
021 693 34 71
christian.schlatter@epfl.ch