A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications.

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

9675.2;5 PFIW-IW

Titre du projet

A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications

Titre du projet anglais

A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.01.2009
Date de fin	14.08.2012

Coûts totaux approuvés	412'672.00 CHF
Domaine	23 Förderbereich Engineering
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Recherches non ventilées / non attribuables

Disciplines/domaines	100 % T210 Mécanique/acoustique appliquée,hydraulique,technologie du vide,vibrations

Dernière modification du projet 27.11.2014