A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications.

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

9675.2;5 PFIW-IW

Titre du projet

A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications

Titre du projet anglais

A new low ion energy bombardment PECVD reactor for the deposition of thin film silicon for solar cell applications

Participants
Office fédéral/ Unité administrative	Innosuisse Agence suisse pour l'encouragement de l'innovation Einsteinstrasse 2 CH-3003 Bern +41 58 461 61 61 (Central) info@innosuisse.ch www.innosuisse.ch/

Personne à contacter

Dr.
Christoph Hollenstein
EPFL
Station 13
CH-1015 Lausanne
021 693 34 71
christophe.hollenstein@epfl.ch

Participants