Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

8355.1;3 NMPP-NM

Titre du projet

Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting

Titre du projet anglais

Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.11.2006
Date de fin	17.02.2009

Coûts totaux approuvés	702'800.00 CHF
Domaine	22 Förderbereich Nano / Micro
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Recherches non ventilées / non attribuables

Disciplines/domaines	100 % T170 Electronique

Dernière modification du projet 27.11.2014