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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
8355.1;3 NMPP-NM
Projekttitel
Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting
Projekttitel Englisch
Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting

Beteiligte

Bundesstelle/ Verwaltungseinheit Innosuisse
Schweizerische Agentur
für Innovationsförderung
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Zentrale)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Kontaktperson

Prof.
Bertram Batlogg
ETH Zürich
Schafmattstrasse 16, HPF F9
CH-8093 Zürich
044 633 22 48
batlogg@phys.ethz.ch