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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
8355.1;3 NMPP-NM
Projekttitel
Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting
Projekttitel Englisch
Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.11.2006
Endedatum 17.02.2009
 
Gesamtkosten bewilligt 702'800.00  CHF
Bereich 22 Förderbereich Nano / Micro
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Nicht aufteilbare / nicht zuteilbare Forschung
 
Fachbereiche
100 % T170 Elektronik

Letzte Änderung Projekt
27.11.2014