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Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
110.420 INT-ENG
Titre du projet
Innovations in SiC Power MOSFET Gate technology through the use of ALD oxides
Titre du projet anglais
Innovations in SiC Power MOSFET Gate technology through the use of ALD oxides

Participants
Office fédéral/ Unité administrative Innosuisse
Agence suisse pour l'encouragement
de l'innovation
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Central)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Personne à contacter

 Bolat Sami
Hitachi Energy AG
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE339599331

Partenaire commercial
Hitachi Energy AG
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE339599331