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Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
51074.1 IP-ENG
Titre du projet
SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse
Titre du projet anglais
SiC-Si-Pro: Prozessverbesserung für das Diamantdrahtsägen von Siliziumcarbidwafern und grossen Siliziumwafern für Halbleiter und auf Basis wissenschaftlicher Erkenntnisse

Participants
Office fédéral/ Unité administrative Innosuisse
Agence suisse pour l'encouragement
de l'innovation
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Central)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Personne à contacter

 Brechbühler Jonas
PW WaferTec GmbH
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE213377099

Direction sientifique
ETHZ - Eidgenössische Technische Ho
chschule Zürich

Direction sientifique
inspire AG für mechatronische Produ
ktionssysteme und Fertigungstechnik
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE101770265

Partenaire commercial
PW WaferTec GmbH
www.uid.admin.ch/Detail.aspx?uid_id=CHE213377099