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Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
8355.1;3 NMPP-NM
Titre du projet
Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting
Titre du projet anglais
Development of high throughput plasma processes for Gallium Nitride epitaxy at low substrate temperatures for applications in the field of lighting

Participants

Office fédéral/ Unité administrative Innosuisse
Agence suisse pour l'encouragement
de l'innovation
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Central)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Personne à contacter

Prof.
Bertram Batlogg
ETH Zürich
Schafmattstrasse 16, HPF F9
CH-8093 Zürich
044 633 22 48
batlogg@phys.ethz.ch