Hochenergieimplantation zur Optimierung der dynamischen Eigenschaften von Halbleiterkomponenten der Leistungselektronik

Forschungsstelle

INNOSUISSE

Projektnummer

1998.1;2 MJK

Projekttitel

Hochenergieimplantation zur Optimierung der dynamischen Eigenschaften von Halbleiterkomponenten der Leistungselektronik

Texte zu diesem Projekt

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Kurzbeschreibung		-	-	-

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Kurzbeschreibung (Deutsch)	Hochenergieimplantation zur Optimierung der dynamischen Eigenschaften von Halbleiterkomponenten der Leistungselektronik