ServicenavigationHauptnavigationTrailKarteikarten

Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
1998.1;2 MJK
Projekttitel
Hochenergieimplantation zur Optimierung der dynamischen Eigenschaften von Halbleiterkomponenten der Leistungselektronik
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.05.1990
Endedatum 02.04.2001
 
Gesamtkosten bewilligt 292'300.00  CHF
Bereich 7 Mehrjahreskredit
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Industrielle Produktivität und Technologie
 
Fachbereiche
100 % Noch nicht erfasst
Letzte Änderung Projekt
27.11.2014