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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
41785.1 IP-ENG
Projekttitel
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Projekttitel Englisch
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers

Texte zu diesem Projekt
 DeutschFranzösischItalienischEnglisch
Kurzbeschreibung
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Abstract
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Erfasste Texte


KategorieText
Kurzbeschreibung
(Deutsch)
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Kurzbeschreibung
(Englisch)
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Abstract
(Deutsch)
The demand for higher output power in high-power semiconductor lasers persists. The focus of the development is on the packaging and cooling of the laser chip. This project evaluates joining technologies beyond the established hard soldering and shall achieve production readiness of such processes.