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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
41785.1 IP-ENG
Projekttitel
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Projekttitel Englisch
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.09.2020
Endedatum 01.09.2022
 
Gesamtkosten bewilligt 310'752.72  CHF
Bereich 70 Engineering
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Industrielle Produktivität und Technologie
 
Fachbereiche
100 % T171 Mikroelektronik

Letzte Änderung Projekt