Simulationsgestützte Leistungs-Optimierung von IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)

• Forschungsstelle: INNOSUISSE
• Projektnummer: 17476.1 PFEN-IW
• Projekttitel Englisch: Optimisation of the output-power of IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) by thermo-mechanical modelling. MIP: ABB Semiconductors

Kurzbeschreibung (Deutsch)

Simulationsgestützte Leistungs-Optimierung von IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)

Kurzbeschreibung (Englisch)

Optimisation of the output-power of IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) by thermo-mechanical modelling. MIP: ABB Semiconductors

Abstract (Deutsch)

IGCT (Intergrated Gate Commutated Thyristor) sind Halbleiter-Bauelemente, welche in Umrichter für grosse Motoren oder in der Stromübertragung eingesetzt werden. Der im Wesentlichen limitierende Faktor für die Leistungsfähigkeit dieser IGCT ist heute das Packaging. Das Ziel dieses Projektes ist durch thermo-mechanische und elektrische Simulationen und experimentelle Validierungsversuche die wesentlichen Vorgänge innerhalb der IGCT Einheit zu charakterisieren und damit das Packaging zu optimieren. Die maximale Betriebstemperatur soll dadurch von 125°C auf 140°C gesteigert werden, was zu einer Steigerung der Konstant Leistung von 12% führen wird.

Abstract (Englisch)