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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
17476.1 PFEN-IW
Projekttitel
Simulationsgestützte Leistungs-Optimierung von IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)
Projekttitel Englisch
Optimisation of the output-power of IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) by thermo-mechanical modelling. MIP: ABB Semiconductors
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.05.2015
Endedatum 01.03.2018
 
Gesamtkosten bewilligt 414'834.00  CHF
Bereich 23 Förderbereich Engineering
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Industrielle Produktivität und Technologie
 
Fachbereiche
100 % T150 Werkstofftechnologie
Letzte Änderung Projekt
16.12.2021