Bonding process of semiconductors on metallic substrates

• Unité de recherche: INNOSUISSE
• Numéro de projet: 10231.1;9 PFNM-NM
• Titre du projet anglais: Bonding process of semiconductors on metallic substrates

Description succincte (Allemand)

Beschichtungsprozess zur Befestigung von Halbleiterbauelementen

Description succincte (Anglais)

Bonding process of semiconductors on metallic substrates

Résumé des résultats (Abstract) (Allemand)

Die Lebensdauer und Leistung einer Hochleistung Licht emittierenden Diode (LED) hängt von der Temperatur der Sperrschicht ab. Um eine effiziente Wärmeableitung zu erzielen, wird ein neuer Dickschichtprozess entwickelt, mit welchem der Halbleiter-Die direkt auf ein Metallsubstrat gebondet werden kann. Die Struktur der neuen Dickschicht erlaubt das Kompensieren der unterschiedlichen thermischen Ausdehnung von Substrat und Halbleiter, so dass sich keine thermische Spannung ausbildet.