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Research unit
INNOSUISSE
Project number
10231.1;9 PFNM-NM
Project title
Bonding process of semiconductors on metallic substrates

Texts for this project
 GermanFrenchItalianEnglish
Short description
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Abstract
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Inserted texts


CategoryText
Short description
(German)
Beschichtungsprozess zur Befestigung von Halbleiterbauelementen
Short description
(English)
Bonding process of semiconductors on metallic substrates
Abstract
(German)
Die Lebensdauer und Leistung einer Hochleistung Licht emittierenden Diode (LED) hängt von der Temperatur der Sperrschicht ab. Um eine effiziente Wärmeableitung zu erzielen, wird ein neuer Dickschichtprozess entwickelt, mit welchem der Halbleiter-Die direkt auf ein Metallsubstrat gebondet werden kann. Die Struktur der neuen Dickschicht erlaubt das Kompensieren der unterschiedlichen thermischen Ausdehnung von Substrat und Halbleiter, so dass sich keine thermische Spannung ausbildet.