Beschichtungsprozess zur Befestigung von Halbleiterbauelementen

• Forschungsstelle: INNOSUISSE
• Projektnummer: 10231.1;9 PFNM-NM
• Projekttitel Englisch: Bonding process of semiconductors on metallic substrates

Kurzbeschreibung (Deutsch)

Beschichtungsprozess zur Befestigung von Halbleiterbauelementen

Kurzbeschreibung (Englisch)

Bonding process of semiconductors on metallic substrates

Abstract (Deutsch)

Die Lebensdauer und Leistung einer Hochleistung Licht emittierenden Diode (LED) hängt von der Temperatur der Sperrschicht ab. Um eine effiziente Wärmeableitung zu erzielen, wird ein neuer Dickschichtprozess entwickelt, mit welchem der Halbleiter-Die direkt auf ein Metallsubstrat gebondet werden kann. Die Struktur der neuen Dickschicht erlaubt das Kompensieren der unterschiedlichen thermischen Ausdehnung von Substrat und Halbleiter, so dass sich keine thermische Spannung ausbildet.