New high density plasma source for etching and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Forschungsstelle

INNOSUISSE

Projektnummer

5602.1;7 KTS-IW

Projekttitel

New high density plasma source for etching and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Texte zu diesem Projekt

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Kurzbeschreibung (Französisch)	New high density plasma source for etching and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)