Hochenergieimplantation zur Optimierung der dynamischen Eigenschaften von Halbleiterkomponenten der Leistungselektronik

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

1998.1;2 MJK

Titre du projet

Hochenergieimplantation zur Optimierung der dynamischen Eigenschaften von Halbleiterkomponenten der Leistungselektronik

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.05.1990
Date de fin	02.04.2001

Coûts totaux approuvés	292'300.00 CHF
Domaine	7 Crédit pluriannuel
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % Pas encore déterminé

Dernière modification du projet 27.11.2014