PHILARIS / Probing by Heavy Ions and Lasers for an Assessment of Rad-hardness in Integrated Semiconductors.

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

110.374 INT-ENG

Titre du projet

PHILARIS / Probing by Heavy Ions and Lasers for an Assessment of Rad-hardness in Integrated Semiconductors.

Titre du projet anglais

PHILARIS / Probing by Heavy Ions and Lasers for an Assessment of Rad-hardness in Integrated Semiconductors.

Etat du projet	En cours / engagé

Date de début	16.09.2024
Date de fin	15.09.2026

Coûts totaux approuvés	346'866.55 CHF
Domaine	70 Engineering
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % P265 Physique des semiconducteurs

Dernière modification du projet