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Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
41785.1 IP-ENG
Titre du projet
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Titre du projet anglais
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Etat du projet Terminé
 
Date de début 01.09.2020
Date de fin 01.09.2022
 
Coûts totaux approuvés 310'752.72  CHF
Domaine 70 Engineering
Catégorie de projet Projet
Type de recherche Recherche appliquée et développement
Code NABS Production et technologie industrielles
 
Disciplines/domaines
100 % T171 Microélectronique

Dernière modification du projet