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INNOSUISSE
Numéro de projet
41785.1 IP-ENG
Titre du projet
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Titre du projet anglais
Joining technology for next-generation high-power semiconductor lasers
Données de base
Textes
Participants
Etat du projet
Terminé
Date de début
01.09.2020
Date de fin
01.09.2022
Coûts totaux approuvés
310'752.72
CHF
Domaine
70 Engineering
Catégorie de projet
Projet
Type de recherche
Recherche appliquée et développement
Code NABS
Production et technologie industrielles
Disciplines/domaines
100
%
T171 Microélectronique
Dernière modification du projet
SEFRI
- Einsteinstrasse 2 - 3003 Berne -
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