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Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
18092.1 PFNM-NM
Titre du projet
Feasibility study of MOCVD epitaxial growth of high efficient light convertion materials for the broadband NIR emitters in the 1.1-2.1-µm wavelength range.
Titre du projet anglais
Feasibility study of MOCVD epitaxial growth of high efficient light convertion materials for the broadband NIR emitters in the 1.1-2.1-µm wavelength range.
Etat du projet Terminé
 
Date de début 01.11.2015
Date de fin 01.07.2016
 
Coûts totaux approuvés 98'974.00  CHF
Domaine 22 Förderbereich Nano / Micro
Catégorie de projet Projet
Type de recherche Recherche appliquée et développement
Code NABS Production et technologie industrielles
 
Disciplines/domaines
100 % T171 Microélectronique

Dernière modification du projet