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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
18092.1 PFNM-NM
Projekttitel
Feasibility study of MOCVD epitaxial growth of high efficient light convertion materials for the broadband NIR emitters in the 1.1-2.1-µm wavelength range.
Projekttitel Englisch
Feasibility study of MOCVD epitaxial growth of high efficient light convertion materials for the broadband NIR emitters in the 1.1-2.1-µm wavelength range.

Beteiligte

Bundesstelle/ Verwaltungseinheit Innosuisse
Schweizerische Agentur
für Innovationsförderung
Einsteinstrasse 2
CH-3003 Bern
+41 58 461 61 61 (Zentrale)
info@innosuisse.ch
www.innosuisse.ch/
Kontaktperson

Professor
Eli Kapon
EPFL
SB IPEQ LPN
Station 3, Bâtiment PH D3425
CH-1015 Lausanne
+41 21 693 33 88
eli.kapon@epfl.ch


Wirtschaftspartner

Doktor
Markus Rossi
Heptagon Advanced Micro Optics
Moosstrasse 2a
CH-8803 Rüschlikon
+41 44 497 30 03
markus.rossi@hptg.com