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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
18092.1 PFNM-NM
Projekttitel
Feasibility study of MOCVD epitaxial growth of high efficient light convertion materials for the broadband NIR emitters in the 1.1-2.1-µm wavelength range.
Projekttitel Englisch
Feasibility study of MOCVD epitaxial growth of high efficient light convertion materials for the broadband NIR emitters in the 1.1-2.1-µm wavelength range.
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 01.11.2015
Endedatum 01.07.2016
 
Gesamtkosten bewilligt 98'974.00  CHF
Bereich 22 Förderbereich Nano / Micro
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Industrielle Produktivität und Technologie
 
Fachbereiche
100 % T171 Mikroelektronik

Letzte Änderung Projekt