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Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
17476.1 PFEN-IW
Titre du projet
Optimisation of the output-power of IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) by thermo-mechanical modelling. MIP: ABB Semiconductors
Titre du projet anglais
Optimisation of the output-power of IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) by thermo-mechanical modelling. MIP: ABB Semiconductors
Etat du projet Terminé
 
Date de début 01.05.2015
Date de fin 01.03.2018
 
Coûts totaux approuvés 414'834.00  CHF
Domaine 23 Förderbereich Engineering
Catégorie de projet Projet
Type de recherche Recherche appliquée et développement
Code NABS Production et technologie industrielles
 
Disciplines/domaines
100 % T150 Technologie de matériaux
Dernière modification du projet
16.12.2021