High Throughput Power Semiconductor Dynamic Testing Methodology utilizing Self-Heating Principles

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

17033.1;4 INNO13-16-IW

Titre du projet

High Throughput Power Semiconductor Dynamic Testing Methodology utilizing Self-Heating Principles

Etat du projet	Terminé

Date de début	11.06.2014
Date de fin	11.12.2014

Coûts totaux approuvés	7'500.00 CHF
Domaine	Projektförderung
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Recherches non ventilées / non attribuables

Disciplines/domaines	100 % T190 Electrotechnique

Dernière modification du projet 27.11.2014