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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
17033.1;4 INNO13-16-IW
Projekttitel
High Throughput Power Semiconductor Dynamic Testing Methodology utilizing Self-Heating Principles
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 11.06.2014
Endedatum 11.12.2014
 
Gesamtkosten bewilligt 7'500.00  CHF
Bereich Projektförderung
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Nicht aufteilbare / nicht zuteilbare Forschung
 
Fachbereiche
100 % T190 Elektrotechnik
Letzte Änderung Projekt
27.11.2014