Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

13496.1;6 PFFLE-NM

Titre du projet

Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Titre du projet anglais

Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Etat du projet	Terminé

Date de début	31.03.2012
Date de fin	30.07.2014

Coûts totaux approuvés	361'483.00 CHF
Domaine	5 CTI
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Recherches non ventilées / non attribuables

Disciplines/domaines	100 % Pas encore déterminé

Dernière modification du projet 27.11.2014