Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Forschungsstelle

INNOSUISSE

Projektnummer

13496.1;6 PFFLE-NM

Projekttitel

Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Projekttitel Englisch

Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology

Beteiligte
Bundesstelle/ Verwaltungseinheit	Innosuisse Schweizerische Agentur für Innovationsförderung Einsteinstrasse 2 CH-3003 Bern +41 58 461 61 61 (Zentrale) info@innosuisse.ch www.innosuisse.ch/

Kontaktperson

Dr.
Alexander Duncan
EPFL
MXC 132 station 12
CH-1015 Lausanne
041 216 935 323
duncan.alexander@epfl.ch

Beteiligte