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Forschungsstelle
INNOSUISSE
Projektnummer
13496.1;6 PFFLE-NM
Projekttitel
Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology
Projekttitel Englisch
Nanoscale strain analysis by TEM for reduction of power consumption in 180nm CMOS low power embedded flash technology
Projektstatus Abgeschlossen
 
Startdatum 31.03.2012
Endedatum 30.07.2014
 
Gesamtkosten bewilligt 361'483.00  CHF
Bereich 5 KTI
Proj. Kategorie Projekt
Forschungsart Angewandte Forschung und Entwicklung
NABS-Klassifikation Nicht aufteilbare / nicht zuteilbare Forschung
 
Fachbereiche
100 % Noch nicht erfasst
Letzte Änderung Projekt
27.11.2014