Very fast SiOx barrier deposition on polymers by plasma enhanced chemical vapor (PECVD) process with a helicon plasma source

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

9896.2;4 PFIW-IW

Titre du projet

Very fast SiOx barrier deposition on polymers by plasma enhanced chemical vapor (PECVD) process with a helicon plasma source

Titre du projet anglais

Very fast SiOx barrier deposition on polymers by plasma enhanced chemical vapor (PECVD) process with a helicon plasma source

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.07.2009
Date de fin	13.11.2012

Coûts totaux approuvés	328'320.00 CHF
Domaine	23 Förderbereich Engineering
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Recherches non ventilées / non attribuables

Disciplines/domaines	100 % T130 Technologie de la production

Dernière modification du projet 27.11.2014