En-tête de navigationNavigation principaleSuiviFiche

Unité de recherche
INNOSUISSE
Numéro de projet
8448.2;7 NMPP-NM
Titre du projet
Silicon Carbide High-Temperature Pressure Sensor SICAPS
Titre du projet anglais
Silicon Carbide High-Temperature Pressure Sensor SICAPS
Etat du projet Terminé
 
Date de début 01.01.2007
Date de fin 17.04.2012
 
Coûts totaux approuvés 738'000.00  CHF
Domaine 22 Förderbereich Nano / Micro
Catégorie de projet Projet
Type de recherche Recherche appliquée et développement
Code NABS Recherches non ventilées / non attribuables
 
Disciplines/domaines
100 % T170 Electronique
Dernière modification du projet
27.11.2014