New high density plasma source for etching and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Unité de recherche

INNOSUISSE

Numéro de projet

5602.1;7 KTS-IW

Titre du projet

New high density plasma source for etching and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

Etat du projet	Terminé

Date de début	01.11.2001
Date de fin	18.04.2005

Coûts totaux approuvés	405'000.00 CHF
Domaine	5 CTI
Catégorie de projet	Projet
Type de recherche	Recherche appliquée et développement
Code NABS	Production et technologie industrielles

Disciplines/domaines	100 % T150 Technologie de matériaux

Dernière modification du projet 27.11.2014